金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - HS-MPRT-4
用來測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。
本儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表，在測(cè)量電阻率（電壓表）的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（電流表以千分之二的精度）適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化，免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換，更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源，使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān)，在測(cè)量某些箔層材料時(shí)，在探頭壓觸樣品后再接通恒流源可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生，更好地保護(hù)薄膜。儀器配置了本公司的專利產(chǎn)品：小游移四探針頭，探針游移率在0.1～0.2%。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)
采用金屬探頭，游移率小，穩(wěn)定性高。
適用于西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)
適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
具有抗強(qiáng)磁場(chǎng)和抗高頻設(shè)備的性能
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - 技術(shù)指標(biāo)
電阻率：0.001～1999Ω·cm
方塊電阻：0.01～19000Ω/口
直流數(shù)字電壓表 測(cè)量范圍：0～199.9mv
靈敏度：100μv
準(zhǔn)確度：0.2%（±2個(gè)字）
恒流源： 輸出電流：DC 0.01～100mA 四檔連續(xù)可調(diào)
量程：0.01～0.10mA, 0.10～1.0mA,1.0～10mA, 10～100mA
恒流精度：各檔均不低于±0.05%
電源： AC 220V ± 10% ， 50HZ
功耗：功耗 10W ，平均功耗 8W
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀- 典型客戶
江蘇、浙江、廣東、湖南湖北、內(nèi)蒙古、河南等地的CZ直拉單晶及鑄錠客戶。