CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。
硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。
氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。 主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。
在硬化地坪施工進程中，究竟要不要用拋光液進行拋光處理呢？在答復這個問題之前，咱們先要了解什么是地坪拋光液，地坪拋光液能起到什么作用，才能對這個硬化地坪需不需要拋光液的問題進行客觀的剖析。地坪拋光液是一種用來進步硬化地坪亮度的產品，也叫做地坪光亮劑、地坪亮光劑、地坪增亮劑、地坪拋光機等等，出產的濃縮型浸透地坪光亮劑，是采用了源自德國的特種高分子材料，具有抗磨損、防刮傷、防刻劃的功用。