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        便攜式半導體器件靜態參數測試儀DBC-350

        2023-10-10 15:28   4194次瀏覽
        價 格: 面議

        系統特征

        序號

        測試器件

        01

        二極管

        02

        晶體管NPN/PNP

        03

        J型場效應管

        04

        MOS場效應管

        05

        雙向可控硅

        06

        可控硅

        07

        lGBT

        08

        硅觸發可控硅

        09

        達林頓陣列

        10

        金屬氧化物壓變電阻

        12

        固態過壓保護器

        13

        穩壓、齊納二極管

        規格/環境

        柵極發射極

        VGES:0-40V

        分辨率0. 1V

        lGES:0.1-10Ua

        分辨率0.01uA

        Vce:0V

        集電極發射極

        Vces:100-3000v

        分辨率10V

        lces:100UA-5mA

        分辨率10uA

        Vge:0V

        Vge:0V

        柵極發射極閾值電壓

        Vge(th):1-10V

        分辨率0lV

        集電極

        發射極

        飽和電壓

        VCE(sat):02-5V

        分辨率0.01V

        lCE:10-100A

        分辨率1A

        二極管

        VF:0-5V

        分辨率0.01V

        lF:0-100A

        分辨率1A

        Vge:0V

        二極管反向**

        可恢復直流電壓

        Vces:100-3000V

        分辨率10V

        lces; 100UA-5mA

        分辨率10uA

        西安精華偉業電氣科技有限公司

        地址:西安市高新區造字臺路109號西安初元科技園內

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