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        MIR200近紅外顯微鏡

        2026-04-09 19:58   1717次瀏覽
        價 格: 面議

        蘇州卡斯圖電子有限公司自主研發的近紅外金相顯微鏡,廣泛交付于半導體(Semiconductor)領域公司、平板顯示(FPD)公司、科研單位、高校及第三方實驗室。

        該技術方案得益于精密光學設計、納米級加工的集成式光學系統,兼容于常規金相顯微鏡(2寸-12寸)、常規體視顯微鏡(伽利略型及格林諾夫型)、常規工具顯微鏡、常規影像測量儀、超景深顯微鏡、大型龍門工業顯微鏡(MAX120寸)。技術方案可采用結構光、近紅外波段、中遠紅外波段、太赫茲波段穿透芯片、顯示面板表層封裝的非金屬化合物,對客戶產品進行無損檢查。其微米/納米級物體內部無損檢測技術在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全復消色差紅外檢測、可見光/紅外對位檢測等應用。

        MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無損紅外顯微解決方案。

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        半導體(硅基)

        初代半導體是單質材料,因此也被稱為“元素半導體”。世界上首只晶體管是由鍺(Ge)生產出來的,但鍺的非必要能耗與器件耗損,以及儲量和價格,相較硅來說不具優勢。硅(包括硅基)器件占到了銷售的初代半導體產品95%以上。

        國內前三晶圓代工廠,12寸晶圓無損穿透案例:詳細圖片請聯系我司

        MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無損紅外顯微解決方案。

        MIR全系列工業顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸,能夠穿透樣品表面,進行無損觀察檢測,檢測效果好、速度快,大幅提升了客戶效率。本系列顯微鏡可根據客戶要求定制濾片、鏡頭、相機、平臺,可搭配自動傳動設備。

        MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無損紅外顯微解決方案

        初代半導體(硅基)

        薄膜型黏晶材料主要應用于堆疊式晶片級封裝體(Stacked Chip Scale Package,SCSP)中,對于兩種黏晶材料DAF(Die Attach Film)與FOW(Film Over Wire),公司紅外穿透顯微鏡結合特殊觀察方式,能夠輕松穿透兩種黏晶材料。

        國內早期LED制造企業之一,6寸晶圓無損穿透硅片背面及DAF膜案例:

        半導體(硅基)圖片賞析:詳細圖片請聯系我司

        已交付近50家國內客戶用于硅(硅基)產品,以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

        半導體(硅基)圖片賞析:詳細圖片請聯系我司

        已交付近50家國內客戶用于硅(硅基)產品,以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

        紅外金相顯微鏡應用范圍:

        1.封裝芯片,晶圓級CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,透過硅觀察IC芯片內部;IR近紅外線顯微鏡,可以對SiP(System in Package)三維組裝,CSP(Chip Size Package)等用可視觀察無法看到的領域進行無損檢查和分析,正置紅外顯微鏡,專用紅外硅片檢測顯微鏡,硅襯底的CSP觀察。

        2.Vcsel芯片隱裂(cracks),InGaAs瑕疵紅外無損檢測,LED LD芯片出光面積測量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內部缺陷,焊點檢查,鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標記重合誤差無損測量,可以定制開發軟件模塊快速自動測量重合誤差,硅基半導體Wafer,碲化鎘CdTe ,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無損紅外檢測,太陽能電池組件綜合缺陷,紅外檢測,LCD RGB像元面積測量。

        3.IR顯微鏡可用于透過硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,通過紅外顯微鏡對硅片穿透可觀察晶體生長過程中的位錯,隱裂痕,芯片劃片封裝的不良狀況無損分析,封裝后的焊接部分檢查,可直接穿透厚度不超過600μm的硅片,觀察IC芯片內部,觀察內部線路斷裂,崩邊,崩裂,溢出等,也應用于包括產品晶圓生產內部缺陷檢查,短斷路檢查,鍵合對準(薄鍵合電路)。

        蘇州卡斯圖電子有限公司

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