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氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。
流回收工藝分類 當前ITO靶材回收主要圍繞銦元素提取展開，主要分為物理法、化學法和聯合工藝三類： 熔煉過濾法（物理法） 通過高溫熔煉結合篩網過濾實現銦與其他金屬的分離。具體流程包括： 廢銦塊在625℃熔煉爐中熔化，利用鐵/不銹鋼篩網（30-40目）截留固態雜質鐵、鋁。 熔融銦通過重力滴落收集，殘留物可二次熔煉提升回收率至72%。 該方法具有設備簡單（圖1）、周期短（單次處理≤60分鐘）的優勢，適用于含銦量70%-90%的廢靶材。但需控溫（±5℃），否則雜質金屬可能熔化導致純度下降至95%以下。
當前，銦的主要消費領域集中在ITO靶材上，其占比高達約70%。此外，半導體制造和合金領域的需求也不容忽視，兩者合計占總消費量的24%，而其他研究領域則占據了6%。然而，由于ITO制造過程中靶材利用率僅達30%左右，導致大量剩余材料成為廢料。加之電子廢棄物的激增，銦回收已成為資源可持續利用不可或缺的一環。隨著技術進步和應用需求的增長，ITO廢料回收能有效減少原礦資源消耗，實現資源的可持續性發展。